ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system (2007)
Freitas, Raul de Oliveira; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science, v. 204, n. 8, p. 2548-2454, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Freitas, R. de O., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2007). Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science, 204( 8), 2548-2454. doi:10.1002/pssa.200675673
NLM
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system [Internet]. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. 2007 ; 204( 8): 2548-2454.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673
Vancouver
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system [Internet]. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. 2007 ; 204( 8): 2548-2454.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673
Trabalho de evento-resumo
Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces (2003)
Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, M. J. da; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. et al. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, M. J. da, & Silva, E. C. F. da. (2003). Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 maio 02 ]
Vancouver
Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 maio 02 ]
Artigo de periodico
Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well (2003)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, v. 67, n. 155313/1-155313/8, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, 67( 155313/1-155313/8). doi:10.1103/physrevb.67.155313
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
Trabalho de evento-resumo
Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor (2002)
Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SÉRGIO, C. S. et al. Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2002). Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 02 ]
Vancouver
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 02 ]
Artigo de periodico
Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface (2003)
Martini, S; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Silva, M J da; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1-4, p. 101-105, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02313-8. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Silva, M. J. da, Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, 251( 1-4), 101-105. doi:10.1016/s0022-0248(02)02313-8
NLM
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da, Leite JR. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 251( 1-4): 101-105.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02313-8
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da, Leite JR. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 251( 1-4): 101-105.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02313-8

USP Schools

ReP

Filtros

Authors